Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить


Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

IRGP20B60PDPBF, SMPS IGBT 600В 40А 60-150кГц [TO-247AC]
IRGP20B60PDPBF, SMPS IGBT 600В 40А 60-150кГц [TO-247AC]
Производитель: Infineon Technologies, IRGP20B60PDPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.8
Корпус to-247ac
Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 40
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 220
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 115
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 80
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 20

IGBT транзисторы были изначально предназначены для недорогой и эффективной замены силовых полевых транзисторов в среднем диапазоне напряжений (40…

IRGB4715DPBF, Транзистор, IGBT, 650В 15А [TO-220AB]
IRGB4715DPBF, Транзистор, IGBT, 650В 15А [TO-220AB]
Производитель: International Rectifier, IRGB4715DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 650
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Корпус TO-220AB
Технология/семейство gen 6.2
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 21
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 100
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 100
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 24
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 30

IRGB4630DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 47А [TO-220AC]
IRGB4630DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 47А [TO-220AC]
Производитель: International Rectifier, IRGB4630DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95
Корпус TO-220AB
Технология/семейство gen 6.2
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 47
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 206
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 105
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 54
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 40

Один IGBT более 21 А, Infineon Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и об…

IRGB4620DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 32А [TO-220AC]
IRGB4620DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 32А [TO-220AC]
Производитель: Infineon Technologies, IRGB4620DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.85
Корпус TO-220AB
Технология/семейство gen 6.2
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 32
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 140
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 83
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 36
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 31

IRGB4620DPBF - это биполярный транзистор с изолированным затвором и сверхбыстрым диодом с мягким восстановлением. Он отличается высокой эффектив…

IRGB4615DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 23А [TO-220AB]
IRGB4615DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 23А [TO-220AB]
Производитель: International Rectifier, IRGB4615DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.85
Корпус TO-220AB
Технология/семейство gen 6.2
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 23
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 99
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 95
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 24
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 30

IRGB4610DPBF, Транзистор, IGBT, 600В, 10А, [TO-220AB]
IRGB4610DPBF, Транзистор, IGBT, 600В, 10А, [TO-220AB]
Производитель: International Rectifier, IRGB4610DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Корпус TO-220AB
Технология/семейство gen 6.2
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 16
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 77
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 75
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 18
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 27

IRGB4607DPBF, Транзистор, IGBT, 600В 7А [TO-220AB]
IRGB4607DPBF, Транзистор, IGBT, 600В 7А [TO-220AB]
Производитель: International Rectifier, IRGB4607DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.05
Корпус TO-220AB
Технология/семейство gen 6.2
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 11
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 58
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 120
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 12
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 27

IRGB4064DPBF, IGBT 600В 20А TO220AB
IRGB4064DPBF, IGBT 600В 20А TO220AB
Производитель: International Rectifier, IRGB4064DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.91
Корпус TO-220AB
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 20
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 101
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 79
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 40
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 27

IRGB4062DPBF, IGBT 600В 48А [TO-220AB]
IRGB4062DPBF, IGBT 600В 48А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRGB4062DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95
Корпус TO-220AB
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 48
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 104
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 72
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 41

Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…

IRGB4061DPBF, IGBT 600В 18А TO220AB
IRGB4061DPBF, IGBT 600В 18А TO220AB
Производитель: International Rectifier, IRGB4061DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95
Корпус TO-220AB
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 36
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 206
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 105
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 72
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 40

IGBT, 600V, TO-220 Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Voltage, Vces 600V Current Ic Continuous a Max 36A Voltage, Vce Sat Max 1.65V Power Di…