IRGP20B60PDPBF, SMPS IGBT 600В 40А 60-150кГц [TO-247AC]
![IRGP20B60PDPBF, SMPS IGBT 600В 40А 60-150кГц [TO-247AC]](/file/p_img/1773384.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRGP20B60PDPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.8 |
Корпус | to-247ac |
Технология/семейство | npt |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 40 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 220 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 115 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 80 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 20 |
IGBT транзисторы были изначально предназначены для недорогой и эффективной замены силовых полевых транзисторов в среднем диапазоне напряжений (40…
IRGB4715DPBF, Транзистор, IGBT, 650В 15А [TO-220AB]
![IRGB4715DPBF, Транзистор, IGBT, 650В 15А [TO-220AB]](/file/p_img/1773383.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRGB4715DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
Корпус | TO-220AB |
Технология/семейство | gen 6.2 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 21 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 100 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 100 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 24 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 30 |
IRGB4630DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 47А [TO-220AC]
![IRGB4630DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 47А [TO-220AC]](/file/p_img/1773382.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRGB4630DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.95 |
Корпус | TO-220AB |
Технология/семейство | gen 6.2 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 47 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 206 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 105 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 54 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 40 |
Один IGBT более 21 А, Infineon Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и об…
IRGB4620DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 32А [TO-220AC]
![IRGB4620DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 32А [TO-220AC]](/file/p_img/1773381.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRGB4620DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.85 |
Корпус | TO-220AB |
Технология/семейство | gen 6.2 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 32 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 140 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 83 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 36 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 31 |
IRGB4620DPBF - это биполярный транзистор с изолированным затвором и сверхбыстрым диодом с мягким восстановлением. Он отличается высокой эффектив…
IRGB4615DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 23А [TO-220AB]
![IRGB4615DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 23А [TO-220AB]](/file/p_img/1773380.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRGB4615DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.85 |
Корпус | TO-220AB |
Технология/семейство | gen 6.2 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 23 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 99 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 95 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 24 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 30 |
IRGB4610DPBF, Транзистор, IGBT, 600В, 10А, [TO-220AB]
![IRGB4610DPBF, Транзистор, IGBT, 600В, 10А, [TO-220AB]](/file/p_img/1773379.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRGB4610DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
Корпус | TO-220AB |
Технология/семейство | gen 6.2 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 16 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 77 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 75 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 18 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 27 |
IRGB4607DPBF, Транзистор, IGBT, 600В 7А [TO-220AB]
![IRGB4607DPBF, Транзистор, IGBT, 600В 7А [TO-220AB]](/file/p_img/1773378.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRGB4607DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.05 |
Корпус | TO-220AB |
Технология/семейство | gen 6.2 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 11 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 58 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 120 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 12 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 27 |
IRGB4064DPBF, IGBT 600В 20А TO220AB
![IRGB4064DPBF, IGBT 600В 20А TO220AB](/file/p_img/1773377.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRGB4064DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.91 |
Корпус | TO-220AB |
Технология/семейство | trench |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 20 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 101 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 79 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 40 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 27 |
IRGB4062DPBF, IGBT 600В 48А [TO-220AB]
![IRGB4062DPBF, IGBT 600В 48А [TO-220AB]](/file/p_img/1773376.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRGB4062DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.95 |
Корпус | TO-220AB |
Технология/семейство | trench |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 48 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 250 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 104 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 72 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 41 |
Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…
IRGB4061DPBF, IGBT 600В 18А TO220AB
![IRGB4061DPBF, IGBT 600В 18А TO220AB](/file/p_img/1773375.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRGB4061DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.95 |
Корпус | TO-220AB |
Технология/семейство | trench |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 36 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 206 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 105 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 72 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 40 |
IGBT, 600V, TO-220 Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Voltage, Vces 600V Current Ic Continuous a Max 36A Voltage, Vce Sat Max 1.65V Power Di…