EL

Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

IRGB4059DPBF, IGBT 600В 8А [TO-220AB]
IRGB4059DPBF, IGBT 600В 8А [TO-220AB]
Производитель: International Rectifier, IRGB4059DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.05
Корпус TO-220AB
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 56
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 65
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 16
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 25

IRGB4056DPBF, IGBT 600В 24А [TO-220AB]
IRGB4056DPBF, IGBT 600В 24А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRGB4056DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.85
Корпус TO-220AB
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 24
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 140
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 83
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 48
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 31

Co-Pack IGBT до 20A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику ши…

IRGB4045DPBF, IGBT 600В 12А [TO-220AB]
IRGB4045DPBF, IGBT 600В 12А [TO-220AB]
Производитель: International Rectifier, IRGB4045DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Корпус TO-220AB
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 12
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 77
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 75
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 18
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 27

IRGB20B60PD1PBF, IGBT 600В 40А [TO-220AB]
IRGB20B60PD1PBF, IGBT 600В 40А [TO-220AB]
Производитель: International Rectifier, IRGB20B60PD1PBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.8
Корпус TO-220AB
Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 40
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 215
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 115
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 80
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 20

IRGB14C40LPBF, IGBT 430В 20А зажиг [TO-220]
IRGB14C40LPBF, IGBT 430В 20А зажиг [TO-220]
Производитель: International Rectifier, IRGB14C40LPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 430
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.75
Корпус TO-220AB
Технология/семейство ignition
Наличие встроенного диода нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 20
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 125
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 6000
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 900

IRG8P60N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 60А [TO-247]
IRG8P60N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 60А [TO-247]
Производитель: International Rectifier, IRG8P60N120KDPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Корпус to-247ac
Технология/семейство gen8
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 420
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 240
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 40

IRG8P50N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 50А [TO-247]
IRG8P50N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 50А [TO-247]
Производитель: International Rectifier, IRG8P50N120KDPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Корпус to-247ac
Технология/семейство gen8
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 350
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 190
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 105
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 35

IRG8P40N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 40А [TO-247]
IRG8P40N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 40А [TO-247]
Производитель: International Rectifier, IRG8P40N120KDPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Корпус to-247ac
Технология/семейство gen8
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 305
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 245
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 75
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 40

IRG8P15N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 15А [TO-247]
IRG8P15N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 15А [TO-247]
Производитель: International Rectifier, IRG8P15N120KDPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Корпус to-247ac
Технология/семейство gen8
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 30
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 125
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 170
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 30
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 15

IRG8P08N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 8А [TO-247]
IRG8P08N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 8А [TO-247]
Производитель: International Rectifier, IRG8P08N120KDPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Корпус to-247ac
Технология/семейство gen8
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 15
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 89
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 160
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 15
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 20