STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247], ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 700 руб.

Сравнить

Описание

Тип упаковки-Tube (туба); Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт
Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 80 А, Напряжение насыщения К-Э 2.3 В, Максимальная мощность 375 Вт, Заряд затвора 334 нКл, Тип входа стандартный

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STGW60V60DF

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1793273

Технические параметры

Вес, г

7.5

Максимальное напряжение КЭ ,В

600

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

2.3

Корпус

to-247

Технология/семейство

trench and fieldstop

Наличие встроенного диода

да

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

375

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс

208

Рабочая температура (Tj), °C

-55…+175

Импульсный ток коллектора (Icm), А

240

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс

Техническая документация

Datasheet STGW60V60DF, STGWA60V60DF, STGWT60V60DF (ST) , pdf , 1626 КБ
Datasheet STGW60V60DF , pdf , 1729 КБ

STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247] - характеристики, поставщики

Последняя цена 700 руб.

Техническая документация