IXA33IF1200HB, Транзистор IGBT, Sonic FRD™, 1,2кВ, 34А, 250Вт, TO247-3
Производитель: Ixys Corporation, IXA33IF1200HB
BSM10GD120DN2E3224, Полумост БТИЗ x3, URmax 1,2кВ, Ic 10А, P 80Вт, Ifsм 20А, винтами
Производитель: Infineon Technologies, BSM10GD120DN2E3224
AOK40B65H1
Производитель: Alpha & Omega
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - SingleIGBT 650V 80A 300W Through Hole TO-247
SKM150GB12T4G, Полумост БТИЗ, URmax 1,2кВ, Ic 172А, Ifsм 450А, SEмITrans3, В D56
Производитель: Semikron Elektronik, SKM150GB12T4G
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Модули IGBT Быстрый Trench IGBT 4-го поколения (Infineon) • CAL4 = CAL-диод 4-г…
IXA40RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 43А
Производитель: Ixys Corporation, IXA40RG1200DHGLB
IXBN75N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B
Производитель: Ixys Corporation, IXBN75N170
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Модули IGBTМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 145Amps 17…
IGP10N60T
Производитель: Infineon Technologies
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярн…
IXGP30N60C3C1, Транзистор БТИЗ, 600В, 30А, 220Вт, TO220
Производитель: Ixys Corporation, IXGP30N60C3C1
IRG4BC15UD-SPBF, Транзистор БТИЗ, 600В, 11А, 49Вт, D2PAK
Производитель: Infineon Technologies, IRG4BC15UD-SPBF
IGP06N60T, Транзистор БТИЗ, 600В, 6А, 88Вт, PG-TO220-3
Производитель: Infineon Technologies, IGP06N60T
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THTБиполярные транзисторы с изолированным затвором…