ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SKM150GB12T4G, Полумост БТИЗ, URmax 1,2кВ, Ic 172А, Ifsм 450А, SEмITrans3, В D56 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Semikron Elektronik
SKM150GB12T4G, Полумост БТИЗ, URmax 1,2кВ, Ic 172А, Ifsм 450А, SEмITra…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
SKM150GB12T4G, Полумост БТИЗ, URmax 1,2кВ, Ic 172А, Ifsм 450А, SEмITrans3, В D56
Последняя цена
16980 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Модули IGBT
Быстрый Trench IGBT 4-го поколения (Infineon)
• CAL4 = CAL-диод 4-го поколения с мягким переключением
• Встроенный резистор затвора
• Распознается UL, номер файла E63532
Информация
Производитель
Semikron Elektronik
Артикул
SKM150GB12T4G
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2134493
Технические параметры
Вес, г
303.9
Техническая документация
Datasheet SKM150GB12T4G , pdf
, 509 КБ