ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXBN75N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXBN75N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А;…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXBN75N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B
Последняя цена
12230 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Модули IGBT
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 145Amps 1700V
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXBN75N170
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2133865
Технические параметры
Вес, г
30.01
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
10
Тип продукта
IGBT Modules
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
SOT-227B-4
Серия
IXBN75N170
Коммерческое обозначение
BIMOSFET