IGP10N60T, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 280 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2133562

Технические параметры

Длина

10 mm

Минимальная рабочая температура

40 C

Высота

9.25 mm

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

+/- 20 V

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Ширина

4.4 mm

Конфигурация

Single

Вес, г

Pd - рассеивание мощности

110 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.5 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

24 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

500

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-3

Другие названия товара №

IGP10N60TXKSA1 IGP1N6TXK SP000683042

Серия

TRENCHSTOP IGBT

Технология

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

Техническая документация

Datasheet , pdf , 394 КБ

IGP10N60T - характеристики, поставщики

Последняя цена 280 руб.

Техническая документация