ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSM10GD120DN2E3224, Полумост БТИЗ x3, URmax 1,2кВ, Ic 10А, P 80Вт, Ifsм 20А, винтами - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSM10GD120DN2E3224, Полумост БТИЗ x3, URmax 1,2кВ, Ic 10А, P 80Вт, Ifs…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
BSM10GD120DN2E3224, Полумост БТИЗ x3, URmax 1,2кВ, Ic 10А, P 80Вт, Ifsм 20А, винтами
Последняя цена
13970 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BSM10GD120DN2E3224
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2137924
Технические параметры
Вес, г
211
