ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SC5586, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=550В, Vcbo=900В, Pd=80Вт [TO-3PN] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Inchange Semiconductor
2SC5586, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=550В, Vcbo=900В, Pd=8…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SC5586, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=550В, Vcbo=900В, Pd=80Вт [TO-3PN]
Последняя цена
130 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Inchange Semiconductor
Артикул
2SC5586
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749530
Технические параметры
Вес, г
6.5
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
900
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
550
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
80
Корпус
TO-3PN
Техническая документация
ISC new catalogue , pdf
, 2863 КБ
ISCSEMI 2SC... Bipolar Transistots , pdf
, 1376 КБ