2SD669A, Транзистор NPN 160В 2А 1Вт [TO-126]
![2SD669A, Транзистор NPN 160В 2А 1Вт [TO-126]](/file/p_img/1749617.jpg)
Производитель: Hitachi, 2SD669A
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1 |
Корпус | to-126 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 140 |
2SD669, Транзистор биполярный, NPN, Ic=1.5А, Vceo=180В, Vcbo=180В, Pd=20Вт, hFE= 60…320 [TO-126]
![2SD669, Транзистор биполярный, NPN, Ic=1.5А, Vceo=180В, Vcbo=180В, Pd=20Вт, hFE= 60…320 [TO-126]](/file/p_img/1749616.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD669
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 180 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60…320 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 20 |
Корпус | to-126 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 140 |
2SD667AC (HIT667-E), Транзистор NPN 120В 1А 0.9Вт 140МГц [TO-92mod]
![2SD667AC (HIT667-E), Транзистор NPN 120В 1А 0.9Вт 140МГц [TO-92mod]](/file/p_img/1749615.jpg)
Производитель: Hitachi, 2SD667AC (HIT667-E)
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 110 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.9 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 140 |
2SD5703, Транзистор биполярный, NPN, Ic=10А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=70Вт , hFE= 15…40 [TO-3PML]
![2SD5703, Транзистор биполярный, NPN, Ic=10А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=70Вт , hFE= 15…40 [TO-3PML]](/file/p_img/1749614.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD5703
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 15…40 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 70 |
Корпус | TO-3PML |
2SD5072, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=60Вт , hFE= =8 [TO-3PML]
![2SD5072, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=60Вт , hFE= =8 [TO-3PML]](/file/p_img/1749613.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD5072
Структура | npn с резистором и диодом |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 60 |
Корпус | TO-3PML |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
2SD400, Транзистор NPN 25В 1А 0.9Вт [TO-92]
![2SD400, Транзистор NPN 25В 1А 0.9Вт [TO-92]](/file/p_img/1749611.jpg)
Производитель: Китай, 2SD400
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 25 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.9 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 180 |
2SD362-R, NPN биполярный транзистор

Производитель: Fairchild Semiconductor, 2SD362-R
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 70 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
Корпус | TO-66 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 10 |
2SD313, Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=60В, Vcbo=60В, Pd=30Вт, hFE= 40…320 [TO-220]
![2SD313, Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=60В, Vcbo=60В, Pd=30Вт, hFE= 40…320 [TO-220]](/file/p_img/1749609.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD313
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 40…320 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 30 |
Корпус | to-220 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 5 |
2SD2539, TO-3P

Производитель: Toshiba, 2SD2539
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 600 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 7 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 50 |
Корпус | to-3p |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 2 |