BC848BLT1G, Транзистор NPN 30В 100мА 0.31Вт 300МГц [SOT-23]
![BC848BLT1G, Транзистор NPN 30В 100мА 0.31Вт 300МГц [SOT-23]](/file/p_img/1758571.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BC848BLT1G
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200…450 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Малосигнальные NPN-транзисторы, ON Semiconductor
BC848B,215, Транзистор NPN 30В 100мА 0.31Вт 300МГц [SOT-23]
![BC848B,215, Транзистор NPN 30В 100мА 0.31Вт 300МГц [SOT-23]](/file/p_img/1758570.jpg)
Производитель: Nexperia, BC848B,215
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200…450 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Малосигнальные NPN-транзисторы
BC848B, Транзистор NPN 30В 100мА 0.31Вт 300МГц [SOT23]
![BC848B, Транзистор NPN 30В 100мА 0.31Вт 300МГц [SOT23]](/file/p_img/1758569.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BC848B
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 220 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
BC848A-TP, Биполярный транзистор, NPN, 30В [SOT-23]
![BC848A-TP, Биполярный транзистор, NPN, 30В [SOT-23]](/file/p_img/1758568.jpg)
Производитель: Micro Commercial Components, BC848A-TP
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 220 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
| Корпус | sot23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V 0.1A
BC847S, Транзистор, 2 х NPN, 45В, 100мА [SOT-363]
![BC847S, Транзистор, 2 х NPN, 45В, 100мА [SOT-363]](/file/p_img/1758567.jpg)
Производитель: Diotec Semiconductor, BC847S
| Структура | 2 x npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200…450 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | SOT-363 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
BC847S
Производитель: Fairchild Semiconductor
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 330 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.33 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
BC847QASZ, Транзистор, 2хNPN, 45В, 0.1А [DFN1010B-6]
![BC847QASZ, Транзистор, 2хNPN, 45В, 0.1А [DFN1010B-6]](/file/p_img/1758565.jpg)
Производитель: Nexperia, BC847QASZ
| Структура | 2 x npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200…450 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.23 |
| Корпус | dfn1010b-6 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
BC847CW,115, Транзистор NPN 45В 0.1А, [SOT-323]
![BC847CW,115, Транзистор NPN 45В 0.1А, [SOT-323]](/file/p_img/1758564.jpg)
Производитель: Nexperia, BC847CW,115
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 420…800 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
| Корпус | SOT-323 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Транзистор общего назначения NPN серии BC847 в пластиковом корпусе SMD. • Соответствует требованиям AEC-Q101
BC847CLT1G, Транзистор, NPN, 45В, 0.1А, [SOT-23]
![BC847CLT1G, Транзистор, NPN, 45В, 0.1А, [SOT-23]](/file/p_img/1758563.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BC847CLT1G
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 420 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Малосигнальные NPN-транзисторы, ON Semiconductor
BC847CDXV6T1G, Транзисторная сборка 2xNPN 45В 0.1A [SOT-563]
![BC847CDXV6T1G, Транзисторная сборка 2xNPN 45В 0.1A [SOT-563]](/file/p_img/1758562.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BC847CDXV6T1G
Малосигнальные NPN-транзисторы, ON Semiconductor