ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC847CDXV6T1G, Транзисторная сборка 2xNPN 45В 0.1A [SOT-563] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BC847CDXV6T1G, Транзисторная сборка 2xNPN 45В 0.1A [SOT-563]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC847CDXV6T1G, Транзисторная сборка 2xNPN 45В 0.1A [SOT-563]
Последняя цена
6 руб.
Сравнить
Описание
Малосигнальные NPN-транзисторы, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BC847CDXV6T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758562
Технические параметры
Вес, г
0.1
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.6 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Number of Elements per Chip
2
Length
1.6mm
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Transistor Configuration
Isolated
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Package Type
SOT-563
Maximum Power Dissipation
500 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.2mm
Maximum DC Collector Current
100 mA
Height
0.55mm
Pin Count
6
Dimensions
1.6 x 1.2 x 0.55mm
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Minimum DC Current Gain
420
Техническая документация
Datasheet BC847CDXV6T1G , pdf
, 203 КБ
Datasheet , pdf
, 193 КБ
Datasheet , pdf
, 133 КБ