ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC850CW,115, Транзистор NPN 45V 0.1A [SOT-323] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BC850CW,115, Транзистор NPN 45V 0.1A [SOT-323]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC850CW,115, Транзистор NPN 45V 0.1A [SOT-323]
Последняя цена
3 руб.
Сравнить
Описание
Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BC850CW,115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758576
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.05
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Высота
1мм
Длина
2.2мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.35мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,6 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
UMT
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 326 КБ
Datasheet , pdf
, 187 КБ
BC849W_850W , pdf
, 188 КБ