ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC857BDW1T1G, Транзисторная сборка, 2-PNP, 45В, 100мА [SOT-363 / SC-88] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BC857BDW1T1G, Транзисторная сборка, 2-PNP, 45В, 100мА [SOT-363 / SC-88…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC857BDW1T1G, Транзисторная сборка, 2-PNP, 45В, 100мА [SOT-363 / SC-88]
Последняя цена
6 руб.
Сравнить
Описание
Dual PNP Bipolar Transistor
Корпус SOT-323-6, Тип проводимости и конфигурация 2 PNP, Рассеиваемая мощность 380 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 220, Коэффициент усиления по току, max 475
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BC857BDW1T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758591
Технические параметры
Вес, г
0.04
Структура
2 x pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
220…475
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0,25
Корпус
sot-363 / sc-88
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
100
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 157 КБ
BC857 , pdf
, 88 КБ
Datasheet , pdf
, 87 КБ