EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

BD237, NPN биполярный транзистор, [TO-126]
BD237, NPN биполярный транзистор, [TO-126]
Производитель: ST Microelectronics, BD237
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40…250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 25
Корпус to-126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3

Силовые транзисторы NPN, STMicroelectronics

BD140 TO126
Производитель: NXP Semiconductor
Структура pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 13
Корпус to225aa
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 75

BD140-16, Транзистор
Производитель: Micro Commercial Components, BD140-16

BD14016STU, Транзистор PNP 80В 1.5А 12.5Вт (=КТ639Е) [TO-126]
BD14016STU, Транзистор PNP 80В 1.5А 12.5Вт (=КТ639Е) [TO-126]
Производитель: ON Semiconductor, BD14016STU
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100…250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 8
Корпус to-126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 160

Силовые транзисторы PNP, Fairchild Semiconductor

BD14010STU, Транзистор PNP 80В 1.5А 12.5Вт [TO-126]
BD14010STU, Транзистор PNP 80В 1.5А 12.5Вт [TO-126]
Производитель: ON Semiconductor, BD14010STU
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 63…160
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 8
Корпус to-126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 160

Силовые транзисторы PNP, Fairchild Semiconductor

BD139, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт [TO-126]
BD139, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт [TO-126]
Производитель: ST Microelectronics, BD139
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 63…250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 8
Корпус to-126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 190

NPN-транзисторы общего назначения, STMicroelectronics

BD139-16, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт [SOT-32]
BD139-16, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт [SOT-32]
Производитель: ST Microelectronics, BD139-16
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100…250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 12.5
Корпус to-126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 190

NPN-транзисторы общего назначения, STMicroelectronics

BD13916STU, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт [TO-126]
BD13916STU, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт [TO-126]
Производитель: ON Semiconductor, BD13916STU
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100…250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 8
Корпус to-126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 190

Малосигнальные NPN-транзисторы, от 60 до 100 В, Fairchild Semiconductor

BD13910STU, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт (=КТ815Г), [TO-126]
BD13910STU, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт (=КТ815Г), [TO-126]
Производитель: ON Semiconductor, BD13910STU
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 63…160
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 8
Корпус to-126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 190

Малосигнальные NPN-транзисторы, от 60 до 100 В, Fairchild Semiconductor

BD138, Транзистор PNP -60В -1.5А 12.5Вт [TO-126]
BD138, Транзистор PNP -60В -1.5А 12.5Вт [TO-126]
Производитель: ST Microelectronics, BD138
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1,5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 63…160
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 12,5

Транзисторы PNP общего назначения, STMicroelectronics