MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MJ11016G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1782833

Вес, г

Структура

npn darlington

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В

120

Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В

120

Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

Статический коэффициент передачи тока h21э мин

1000

Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

200

Корпус

то-3

Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц

MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3] - характеристики, поставщики