ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MUN5211DW1T1G, Цифровой транзистор 2-NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SOT-363] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MUN5211DW1T1G, Цифровой транзистор 2-NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SOT-36…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MUN5211DW1T1G, Цифровой транзистор 2-NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SOT-363]
Последняя цена
6 руб.
Сравнить
Описание
Двойные цифровые транзисторы с двойным резистором, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MUN5211DW1T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1784045
Технические параметры
Вес, г
0.04
Структура
2 X npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
0,1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0,25
Корпус
SOT-363
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 302 КБ
Datasheet , pdf
, 154 КБ
Datasheet , pdf
, 131 КБ
DTC114ED , pdf
, 132 КБ
Datasheet , pdf
, 122 КБ