ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MUN2211T1G, Цифровой транзистор NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SC-59-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MUN2211T1G, Цифровой транзистор NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SC-59-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MUN2211T1G, Цифровой транзистор NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SC-59-3]
Последняя цена
5 руб.
Сравнить
Описание
Цифровые NPN-транзисторы с двумя резисторами, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MUN2211T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1784044
Технические параметры
Вес, г
0.05
Структура
npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
0,5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0,23
Корпус
SC-59
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 135 КБ
Datasheet , pdf
, 409 КБ
Datasheet , pdf
, 372 КБ
Datasheet , pdf
, 129 КБ
MUN2211T1 , pdf
, 114 КБ