PBSS4041NZ,115, Транзистор NPN 60В 7А [SOT-223]
![PBSS4041NZ,115, Транзистор NPN 60В 7А [SOT-223]](/file/p_img/1786182.jpg)
Производитель: Nexperia, PBSS4041NZ,115
• Очень низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCEsat • Высокая пропускная способность коллектора по току IC и ICM • Большой ко…
PBHV8560ZX, Транзистор NPN 600В 0.5А [SOT-223]
![PBHV8560ZX, Транзистор NPN 600В 0.5А [SOT-223]](/file/p_img/1786074.jpg)
Производитель: Nexperia, PBHV8560ZX
Биполярные транзисторы - BJT 600V, .05A NPN High- Voltage Transistor
П308М
Производитель: Россия
| Структура | npn |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.03 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 90 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | т-2 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 20 |
П214В, Транзистор германиевый PNP
Производитель: Россия, П214В
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 10 |
| Корпус | металл |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 0.15 |
П214А
Производитель: Россия
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50…150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 10 |
| Корпус | металл |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 0.15 |
П213Б (без крепежного фланца), Транзистор германиевый PNP
Производитель: Россия, П213Б (без крепежного фланца)
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 20…150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 10 |
| Корпус | металл |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 0.15 |
NSV60600MZ4T1G, Транзистор [SOT-223]
![NSV60600MZ4T1G, Транзистор [SOT-223]](/file/p_img/1785073.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, NSV60600MZ4T1G
Транзисторы PNP общего назначения, более 1 А, ON Semiconductor
NST45011MW6T1G, Биполярный транзистор, AEC-Q101, Двойной NPN, 45 В, 100 МГц, 380 мВт, 100 мА, 150 hFE, [SOT-363]
![NST45011MW6T1G, Биполярный транзистор, AEC-Q101, Двойной NPN, 45 В, 100 МГц, 380 мВт, 100 мА, 150 hFE, [SOT-363]](/file/p_img/1785072.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, NST45011MW6T1G
| Структура | 2 x npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.38 |
| Корпус | SOT-363 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Биполярные транзисторы - BJT DUAL MATCHED NPN XSTR 45V
NSS60200LT1G, Транзистор BJT PNP 60В 2А 0.54ВТ [SOT-23]
![NSS60200LT1G, Транзистор BJT PNP 60В 2А 0.54ВТ [SOT-23]](/file/p_img/1785068.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, NSS60200LT1G
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.46 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
NSS60200LT1G - это биполярный транзистор PNP 4 А, разработанный для использования в низковольтных и высокоскоростных коммутационных устройствах,…