PDTC124TT.215, Транзистор NPN Digital 250мВт [SOT-23-3]
![PDTC124TT.215, Транзистор NPN Digital 250мВт [SOT-23-3]](/file/p_img/1786452.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, PDTC124TT.215
| Структура | npn с 2 резисторами |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
Цифровые транзисторы с одним резистором, Nexperia
PDTC123ET,215, Транзистор, NPN RET, 50В, 0.1А, R1=2.2кОм, R2=2.2кОм [SOT-23-3]
![PDTC123ET,215, Транзистор, NPN RET, 50В, 0.1А, R1=2.2кОм, R2=2.2кОм [SOT-23-3]](/file/p_img/1786451.jpg)
Производитель: Nexperia, PDTC123ET,215
| Структура | npn с 2 резисторами |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 230 |
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициен…
PDTC114ET,215, Транзистор, NPN Digital, 50В, 100мА, R1/R2=10кОм, [SOT-23]
![PDTC114ET,215, Транзистор, NPN Digital, 50В, 100мА, R1/R2=10кОм, [SOT-23]](/file/p_img/1786450.jpg)
Производитель: Nexperia, PDTC114ET,215
| Структура | npn с 2 резисторами |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 230 |
Цифровые NPN-транзисторы с двумя резисторами, Nexperia
PDTA143ET,215, Транзистор, PNP RET, 50В, 0.1А, R1=4.7кОм, R2=4.7кОм [SOT-23-3]
![PDTA143ET,215, Транзистор, PNP RET, 50В, 0.1А, R1=4.7кОм, R2=4.7кОм [SOT-23-3]](/file/p_img/1786449.jpg)
Производитель: Nexperia, PDTA143ET,215
| Структура | pnp с 2 резисторами |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 230 |
Цифровые PNP-транзисторы с двумя резисторами, Nexperia
PDTA124XT,215, Цифровой транзистор PNP 250мВт [SOT-23-3]
![PDTA124XT,215, Цифровой транзистор PNP 250мВт [SOT-23-3]](/file/p_img/1786448.jpg)
Производитель: Nexperia, PDTA124XT,215
| Структура | pnp с 2 резисторами |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0,25 |
| Корпус | sot-23 |
• Встроенные резисторы смещения • Уменьшает количество компонентов • Упрощает конструкцию схемы • Снижает затраты на подбор и уст…
PBSS5540Z,115, Транзистор PNP 40В 5А 2Вт [SOT-223]
![PBSS5540Z,115, Транзистор PNP 40В 5А 2Вт [SOT-223]](/file/p_img/1786187.jpg)
Производитель: Nexperia, PBSS5540Z,115
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Корпус | SOT-223 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 120 |
PNP-транзисторы с низким напряжением насыщения, Nexperia Линейка NXP-BISS (прорыв в слабых сигналах), PNP-биполярные переход…
PBSS5240T,215, Транзистор PNP low VCEsat, 40 В, 2 А, 480мВт [SOT-23-3]
![PBSS5240T,215, Транзистор PNP low VCEsat, 40 В, 2 А, 480мВт [SOT-23-3]](/file/p_img/1786186.jpg)
Производитель: Nexperia, PBSS5240T,215
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 210 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0,48 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 200 |
PBSS5240T - это прорывной малосигнальный (BISS) PNP-транзистор 2 А, заключенный в пластиковый корпус для поверхностного монтажа. • Низ…
PBSS4540Z,115, Транзистор NPN 40В 5А 2Вт [SOT-223]
![PBSS4540Z,115, Транзистор NPN 40В 5А 2Вт [SOT-223]](/file/p_img/1786185.jpg)
Производитель: Nexperia, PBSS4540Z,115
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 250 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Корпус | SOT-223 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 130 |
Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 5 А, Коэффициент усил…
PBSS4240T,215, Транзистор NPN 40В 2А [SOT-23-3]
![PBSS4240T,215, Транзистор NPN 40В 2А [SOT-23-3]](/file/p_img/1786184.jpg)
Производитель: Nexperia, PBSS4240T,215
• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCEsat • Высокие токи • Повышенная надежность устройства за счет снижения тепловыделен…
PBSS4041SPN,115, Транзисторная сборка, NPN/PNP, 60В, 6.7A/5.9A [SOT96-1 /SOIC-8]
![PBSS4041SPN,115, Транзисторная сборка, NPN/PNP, 60В, 6.7A/5.9A [SOT96-1 /SOIC-8]](/file/p_img/1786183.jpg)
Производитель: Nexperia, PBSS4041SPN,115
| Структура | npn+pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2,3 |
| Корпус | so-8 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 130 |
Двойные NPN / PNP-транзисторы с низким напряжением насыщения, Nexperia Серия NXP BISS (прорыв в слабых сигналах) Двойные бип…