Транзисторы - Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs) - купить, сравнить


Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

IRF3205ZLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 75А, 55 В, 0.0049 Ом, 10 В, 4 В
IRF3205ZLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 75А, 55 В, 0.0049 Ом, 10 В, 4 В
Производитель: Infineon Technologies, IRF3205ZLPBF

ZVN2110GTA
ZVN2110GTA
Производитель: Diodes Incorporated

МОП-транзистор N-Chnl 100V

PSMN1R3-30YL,115, Транзистор
PSMN1R3-30YL,115, Транзистор
Производитель: Nexperia, PSMN1R3-30YL,115

DMN5L06WK-7, МОП-транзистор, N Канал, 300 мА, 50 В, 2 Ом, 5 В, 1 В
DMN5L06WK-7, МОП-транзистор, N Канал, 300 мА, 50 В, 2 Ом, 5 В, 1 В
Производитель: Diodes Incorporated, DMN5L06WK-7

N-канал 50 В 300 мА (Ta) 250 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-323

IRFB3006GPBF, MOSFET N-Ch 60V 270A HEXF,Транзистор
IRFB3006GPBF, MOSFET N-Ch 60V 270A HEXF,Транзистор
Производитель: International Rectifier, IRFB3006GPBF

MMBFJ111, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 20 мА, -10 В
MMBFJ111, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 20 мА, -10 В
Производитель: Fairchild Semiconductor, MMBFJ111

N-канальный JFET, Fairchild Semiconductor

MMBFJ270, Транзистор
MMBFJ270, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, MMBFJ270

P-канальный JFET, Fairchild Semiconductor

BSC016N03LSGATMA1, Микросхема
BSC016N03LSGATMA1, Микросхема
Производитель: Infineon Technologies, BSC016N03LSGATMA1

МОП-транзистор N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

IPD034N06N3GATMA1, Транзистор
IPD034N06N3GATMA1, Транзистор
Производитель: Infineon Technologies, IPD034N06N3GATMA1

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, от 60 до 80 В Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для…

STW28NM50N, Микросхема
STW28NM50N, Микросхема
Производитель: ST Microelectronics, STW28NM50N

N-Channel MDmesh ™, 500 В, STMicroelectronics