ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFB3006GPBF, MOSFET N-Ch 60V 270A HEXF,Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
International Rectifier
IRFB3006GPBF, MOSFET N-Ch 60V 270A HEXF,Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IRFB3006GPBF, MOSFET N-Ch 60V 270A HEXF,Транзистор
Последняя цена
474 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
International Rectifier
Артикул
IRFB3006GPBF
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1810124
Технические параметры
Вес, г
1.998
Тип корпуса
TO-220AB
Ширина
4.83мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Серия
HEXFET
Длина
10.67мм
Высота
16.51мм
Размеры
10.67 x 4.83 x 16.51мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Производитель
Infineon
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество элементов на ИС
1
Максимальный непрерывный ток стока
270 A
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
8970 пФ при 25 В
Тип канала
N
Типичное время задержки выключения
118 нс
Типичное время задержки включения
16 ns
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
200 нКл при 10 В
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 289 КБ