ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZVN2110GTA - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZVN2110GTA
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
ZVN2110GTA
Последняя цена
270 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор N-Chnl 100V
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1811229
Технические параметры
Вес, г
0.12
Тип корпуса
SOT-223
Ширина
3.7мм
Число контактов
3+Tab
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Длина
6.7мм
Высота
1.65мм
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.65мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Производитель
DiodesZetex
Тип монтажа
Surface Mount
Количество элементов на ИС
1
Максимальный непрерывный ток стока
500 мА
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
59 пФ при 25 В
Тип канала
N
Типичное время задержки выключения
8 нс
Типичное время задержки включения
4 ns
Категория
Мощный МОП-транзистор
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 539 КБ
Datasheet ZVN2110GTA , pdf
, 500 КБ