ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STW28NM50N, Микросхема - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STW28NM50N, Микросхема
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
STW28NM50N, Микросхема
Последняя цена
507 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel MDmesh ™, 500 В, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STW28NM50N
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1808906
Технические параметры
Вес, г
4.49
Тип корпуса
TO-247
Ширина
5.15мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Серия
MDmesh
Длина
15.75мм
Высота
20.15мм
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество элементов на ИС
1
Максимальный непрерывный ток стока
21 А
Максимальное рассеяние мощности
150 W
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
158 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Материал транзистора
SI
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1735 пФ при 25 В
Тип канала
N
Типичное время задержки выключения
62 ns
Типичное время задержки включения
13.6 ns
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
50 нКл при 10 В
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 961 КБ