ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSZ0909NSATMA1, Транзистор N-MOSFET 34В 9A/36A [PG-TSDSON-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSZ0909NSATMA1, Транзистор N-MOSFET 34В 9A/36A [PG-TSDSON-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSZ0909NSATMA1, Транзистор N-MOSFET 34В 9A/36A [PG-TSDSON-8]
Последняя цена
54 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BSZ0909NSATMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1810873
Технические параметры
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TSDSON
Рассеиваемая Мощность
25Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
34В
Непрерывный Ток Стока
36А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.01Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2В
Вес, г
1
Линия Продукции
OptiMOS Series
Техническая документация
Infineon-BSZ0909NS-DS-v02_00-en-1226448 , pdf
, 582 КБ
Datasheet BSZ0909NSATMA1 , pdf
, 667 КБ