FQB22P10TM, Транзистор, Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 270 руб.

Сравнить

Описание

• 100% лавинные испытания
• 40 нКл Типичный низкий заряд затвора
• 160 пФ Типичный низкий Crss

Информация

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

FQB22P10TM

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1810844

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.08

Максимальный непрерывный ток стока

22 А

Максимальное рассеяние мощности

3,75 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

125 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.67мм

Типичное время задержки выключения

60 ns

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

17 ns

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

40 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1170 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Техническая документация

Datasheet FQB22P10TM , pdf , 1062 КБ
Datasheet FQB22P10TM , pdf , 1080 КБ

FQB22P10TM, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 270 руб.

Техническая документация