NTH4L080N120SC1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 29 А, 1.2 кВ, 0.08 Ом, TO-247, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

ONSEMI

Артикул

NTH4L080N120SC1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1324197

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-247

Рассеиваемая Мощность

170Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

29А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.08Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

20В

Пороговое Напряжение Vgs

2.75В

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

MOSFET Configuration

Single

NTH4L080N120SC1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 29 А, 1.2 кВ, 0.08 Ом, TO-247 - характеристики, поставщики