NTHD3100CT1G, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 20 В, 3.9 А, 0.064 Ом, ChipFET, Surface Mount, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

• Малый размер
• На 40% меньше, чем корпус TSOP-6
• Траншейный P-канал для низкого сопротивления в открытом состоянии
• N-канал с низким зарядом затвора для тестового переключения

Информация

Производитель

ONSEMI

Артикул

NTHD3100CT1G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1324202

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

ChipFET

Рассеиваемая Мощность

1.1Вт

Полярность Транзистора

N и P Дополнение

Напряжение Истока-стока Vds

20В

Непрерывный Ток Стока

3.9А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.064Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

4.5В

Пороговое Напряжение Vgs

1.5В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.1

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Техническая документация

Datasheet NTHD3100CT1G , pdf , 149 КБ

NTHD3100CT1G, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 20 В, 3.9 А, 0.064 Ом, ChipFET, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация