IPA80R280P7XKSA1 MOSFET транзистор IPA80R280P7 SP001422552 INF
![IPA80R280P7XKSA1 MOSFET транзистор IPA80R280P7 SP001422552 INF](/file/p_img/1582331.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IPA80R280P7XKSA1
Транзисторы импортныеПримечание: !Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока…
IRLR110PBF
![IRLR110PBF](/file/p_img/1582186.jpg)
Производитель: Vishay
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: D-Pak, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 4.3 А, 25…
FF450R12KE4HOSA1 IGBT модуль FF450R12KE4 SP000370610 INF
![FF450R12KE4HOSA1 IGBT модуль FF450R12KE4 SP000370610 INF](/file/p_img/1581703.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, FF450R12KE4HOSA1
Транзисторы импортныеПримечание: ! Модули IGBT, Infineon Модули IGBT Infineon предлагают…
CSD23201W10, транзистор 4DSBGA
![CSD23201W10, транзистор 4DSBGA](/file/p_img/1581634.jpg)
Производитель: Texas Instruments, CSD23201W10
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.2 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
Корпус | DSBGA-4(1X1) |
STD1NK80ZT4
![STD1NK80ZT4](/file/p_img/1575983.jpg)
Производитель: ST Microelectronics
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25…
SI4931DY-T1-E3
![SI4931DY-T1-E3](/file/p_img/1559257.jpg)
Производитель: Vishay
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -12V Vds 8V Vgs SO-8
IRLD014
![IRLD014](/file/p_img/1557907.jpg)
Производитель: Vishay
МОП-транзистор • Dynamic dV • рейтинг в точках • Для автоматической вставки • Возможность наращивания конца • Прив…