ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRLR110PBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRLR110PBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRLR110PBF
Последняя цена
96 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: D-Pak, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 4.3 А, 25Вт
4 и 5 В
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1582186
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.6
Ширина
6.22 mm
Высота
2.38 mm
Brand
Vishay
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
4.3 A
Pd - рассеивание мощности
25 W
Qg - заряд затвора
6.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
540 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Длина
6.73 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Упаковка / блок
TO-252-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
IRLR110 Datasheet , pdf
, 176 КБ
Datasheet IRLR110PBF , pdf
, 162 КБ
Datasheet IRLR110PBF , pdf
, 2159 КБ