IPA80R280P7XKSA1 MOSFET транзистор IPA80R280P7 SP001422552 INF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 310 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы импортные

Примечание: !

Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 280 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA80R280P7XKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1582331

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Package Type

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Length

10.65mm

Brand

Infineon

Series

CoolMOSв„ў ->

Pin Count

3 + Tab

Typical Gate Charge @ Vgs

36 nC @ 10 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

+30 V

Base Product Number

IPA80R280 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

17A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 500V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

30W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 7.2A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3F

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 360ВµA

FET Feature

Super Junction

Серия

CoolMOS P7

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Maximum Power Dissipation

30 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.9mm

Height

16.15mm

Maximum Drain Source Resistance

620 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Forward Diode Voltage

0.9V

Техническая документация

Datasheet IPA80R280P7XKSA1 , pdf , 1152 КБ
Datasheet IPA80R280P7XKSA1 , pdf , 955 КБ

IPA80R280P7XKSA1 MOSFET транзистор IPA80R280P7 SP001422552 INF - характеристики, поставщики

Последняя цена 310 руб.

Техническая документация