SI4931DY-T1-E3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 250 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор -12V Vds 8V Vgs SO-8

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1559257

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.187

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

8.9 A

Pd - рассеивание мощности

2 W

Qg - заряд затвора

52 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

18 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

12 V

Vgs - напряжение затвор-исток

8 V, + 8 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Другие названия товара №

SI4931DY-E3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Dual

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

SI4

Технология

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

SO-8

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

6.7A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.1W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

2 P Channel(Double)

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

12V

Vgs - Gate-Source Voltage

1V @ 350uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 604 КБ
Datasheet SI4931DY-T1-E3 , pdf , 605 КБ

SI4931DY-T1-E3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 250 руб.

Техническая документация