ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SK3565(STA4,Q,M, Транзистор, TT-MOSIV, N-канал, 900В, 5А [SC-67 / 2-10U1B] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
2SK3565(STA4,Q,M, Транзистор, TT-MOSIV, N-канал, 900В, 5А [SC-67 / 2-1…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
2SK3565(STA4,Q,M, Транзистор, TT-MOSIV, N-канал, 900В, 5А [SC-67 / 2-10U1B]
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
2SK3565(STA4,Q,M
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1749696
Технические параметры
Вес, г
2
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
5A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
45W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
2.5О© @ 3A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
900V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 1mA
Техническая документация
2SK3565 , pdf
, 226 КБ
Datasheet , pdf
, 228 КБ