ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
AP4232BGM-HF-3TR, Транзистор Mosfet, 2N-канала, 7.6 А, 30 В, 0.022 Ом, 10 В, 1 В, [SOIC-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Advanced Power Electronics
AP4232BGM-HF-3TR, Транзистор Mosfet, 2N-канала, 7.6 А, 30 В, 0.022 Ом,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
AP4232BGM-HF-3TR, Транзистор Mosfet, 2N-канала, 7.6 А, 30 В, 0.022 Ом, 10 В, 1 В, [SOIC-8]
Последняя цена
160 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Advanced Power Electronics
Артикул
AP4232BGM-HF-3TR
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1755549
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
7.6А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.022Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.175
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3-168 часов
Техническая документация
AP4232BGM-HF , pdf
, 92 КБ
Datasheet AP4232BGM-HF-3TR , pdf
, 93 КБ