ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
AP4525GEM, Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -5 А/6 А, 2 Вт, [SOP-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Advanced Power Electronics
AP4525GEM, Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -5 А/6…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
AP4525GEM, Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -5 А/6 А, 2 Вт, [SOP-8]
Последняя цена
44 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Advanced Power Electronics
Артикул
AP4525GEM
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1755551
Технические параметры
Вес, г
0.15
Структура
N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
6/5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.028 Ом/6А, 10В/0.042 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2
Крутизна характеристики, S
6/5
Корпус
soic-8
Техническая документация
AP4525GEM , pdf
, 84 КБ