ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
AP4511GM, Транзистор, N+ P-канал, 35В, 7/-6.1A, 25/40мОм [SO-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Advanced Power Electronics
AP4511GM, Транзистор, N+ P-канал, 35В, 7/-6.1A, 25/40мОм [SO-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
AP4511GM, Транзистор, N+ P-канал, 35В, 7/-6.1A, 25/40мОм [SO-8]
Последняя цена
46 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Advanced Power Electronics
Артикул
AP4511GM
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1755550
Технические параметры
Вес, г
0.15
Структура
N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
35
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
7/6.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.025 Ом/7А, 10В/0.04 Ом/6.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2
Крутизна характеристики, S
9/9
Корпус
soic-8
Техническая документация
ap4511gm Datasheet , pdf
, 98 КБ