ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7401PBF, Транзистор, N-канал 20В 8.7А [SO-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
International Rectifier
IRF7401PBF, Транзистор, N-канал 20В 8.7А [SO-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7401PBF, Транзистор, N-канал 20В 8.7А [SO-8]
Последняя цена
30 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET, N SO-8 TUBE 95 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 20V Current, Id Cont 8.7A Resistance, Rds On 0.022ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 4.5V Voltage, Vgs th Typ 0.7V Case Style SOIC Termination Type SMD Current, Idm Pulse 35A External Depth 5.2mm External Length / Height 1.75mm No. of Pins 8 Pin Configuration b Pin Format 1 S 2 S 3 S 4 G 5 D 6 D 7 D 8 D Pitch, Row 6.3mm Power Dissipation 2.5W Power, Pd 2.5W SMD Marking F7401 Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Temperature, Tj Min -55°C Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 20V Width, External 4.05mm
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 22 мОм
Информация
Производитель
International Rectifier
Артикул
IRF7401PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772750
Технические параметры
Вес, г
0.164
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
8.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.022 Ом/4.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2.5
Крутизна характеристики, S
11
Корпус
soic-8
Пороговое напряжение на затворе
0.7