ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFP1405PBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 95А [TO-247AC] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFP1405PBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 95А [TO-247AC]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFP1405PBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 95А [TO-247AC]
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFP1405PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773038
Технические параметры
Вес, г
7.5
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
TO-247
Transistor Material
Si
Length
15.29mm
Brand
Infineon
Series
HEXFET
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
120 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Through Hole
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
160 A
Maximum Power Dissipation
310 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
19.71mm
Height
5.31mm
Maximum Drain Source Resistance
5.3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
1.3V
Forward Transconductance
77s
Dimensions
15.29 x 19.71 x 5.31mm
Typical Turn-On Delay Time
12 ns
Typical Turn-Off Delay Time
140 ns
Category
Power MOSFET
Typical Input Capacitance @ Vds
5600 pF @ 25 V
Техническая документация
Datasheet IRFP1405PBF , pdf
, 274 КБ
Datasheet , pdf
, 265 КБ