Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, беспер…

Сравнить

Структура	n-канал+диод
Корпус	to-247ac

Сравнить

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.014 Ом/32А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	190
Крутизна характеристики, S	27
Корпус	TO-220AB

MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Drain Source Voltage, Vds: 55V; Continuous Drain Current, Id: 64A; On Resistance, R…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.014 Ом/32А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	190
Крутизна характеристики, S	27
Корпус	TO-220AB

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.014 Ом/32А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	190
Крутизна характеристики, S	27
Корпус	TO-220AB

MOSFET, N, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 64A Resistance, Rds On 0.014ohm Voltage, Vgs Rd…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0165 Ом/28А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	150
Крутизна характеристики, S	27
Корпус	TO-220AB

MOSFET, N, 55V, 46A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 46A Resistance, Rds On 0.02ohm Voltag…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	51
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0139 Ом/31А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	80
Крутизна характеристики, S	22
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0139 Ом/31А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	150
Крутизна характеристики, S	15
Корпус	TO-220AB

IRFZ44ZPBF - это одноканальный N-канальный полевой МОП-транзистор HEXFET® на 55 В, в котором используются новейшие технологии обработки для дост…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	55
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0165 Ом/31А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	115
Крутизна характеристики, S	24
Корпус	TO-220AB

IRFZ44VPBF является N-канальным HEXFET® силовым МОП-транзистором 60В с очень низким сопротивлением в открытом состоянии и быстрым переключением с…

Сравнить