ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
RD30HVF1-101, Si 175MHz 30W 12.5V ceramic - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Mitsubishi
RD30HVF1-101, Si 175MHz 30W 12.5V ceramic
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
RD30HVF1-101, Si 175MHz 30W 12.5V ceramic
Последняя цена
990 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Mitsubishi
Артикул
RD30HVF1-101
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1788548
Технические параметры
Вес, г
3.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
75
Корпус
металлокерамика
Особенности
175мгц 30вт
