ISO5500DW, Изолятор цифровых сигналов
Производитель: Texas Instruments, ISO5500DW
Изолированный полевой МОП-транзистор, усилитель; Драйверы IGBT Gate, Texas Instruments
IRS4428SPBF, Драйвер 25В DUAL LOW SIDE [SO-8]
![IRS4428SPBF, Драйвер 25В DUAL LOW SIDE [SO-8]](/file/p_img/1773737.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRS4428SPBF
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 6…20 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.5 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 2.3 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 3.3 |
| Тип входа | Инвертирующий, Неинвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 25 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 25 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
Корпус SO-8, Кол-во нижних каналов 2, Кол-во верхних каналов 0, Максимальный выходной ток нарастания 2.3 А, Максимальный выходной ток спада 3.3 А
IRS4427SPBF, Драйвер IGBT/MOSFET [SOIC-8]
![IRS4427SPBF, Драйвер IGBT/MOSFET [SOIC-8]](/file/p_img/1773736.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRS4427SPBF
Корпус SO-8, Кол-во нижних каналов 2, Кол-во верхних каналов 0, Максимальный выходной ток нарастания 2.3 А, Максимальный выходной ток спада 3.3 А
IRS44273LTRPBF, Одноканальный драйвер ключа нижнего уровня, [SOT-23-5]
![IRS44273LTRPBF, Одноканальный драйвер ключа нижнего уровня, [SOT-23-5]](/file/p_img/1773735.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRS44273LTRPBF
| Кол-во каналов | 1 |
| Напряжение питания, В | 10…20 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.5 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 1.5 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 1.5 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 25 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 25 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | sot-23-5 |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
Корпус SOT235, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 0, Максимальный выходной ток нарастания 1.5 А, Максимальный выходной ток спада 1.5 А…
IRS25752LTRPBF, Драйвер верхнего плеча 600В 160/240мА [SOT-23-6L]
![IRS25752LTRPBF, Драйвер верхнего плеча 600В 160/240мА [SOT-23-6L]](/file/p_img/1773733.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRS25752LTRPBF
| Кол-во каналов | 1 |
| Напряжение питания, В | 10…18 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.16 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.24 |
| Тип входа | инвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 85 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 40 |
| Рабочая температура, °C | -55…+150 (TJ) |
| Корпус | sot-23-6 |
| Тип управляемого затвора | N-CH MOSFET |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
IRS2453DSPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, RC входная цепь, 4-OUT, High и Low-Side, мост [SOIC-14]
![IRS2453DSPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, RC входная цепь, 4-OUT, High и Low-Side, мост [SOIC-14]](/file/p_img/1773728.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRS2453DSPBF
| Кол-во каналов | 1 |
| Напряжение питания, В | 10…15.6 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 1.7 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 9.3 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.18 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.26 |
| Тип входа | RC входная схема |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 120 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 50 |
| Рабочая температура, °C | -25…+125 (TJ) |
| Корпус | soic-14 (0.154 inch) |
| Тип управляемого затвора | N-CH MOSFET |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
ИС управления балластом HID (High Intensity Discharge), Infineon
IRS23364DJPBF, Драйвер IGBT/MOSFET мостовой трехфазный [PLCC-44, 32 Leads]
![IRS23364DJPBF, Драйвер IGBT/MOSFET мостовой трехфазный [PLCC-44, 32 Leads]](/file/p_img/1773727.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRS23364DJPBF
IRS23364DJPBF - это трехфазный высоковольтный высокоскоростной силовой полевой МОП-транзистор и драйвер затвора IGBT с тремя опорными выходными…
IRS2308PBF, Полумостовой драйвер
Производитель: International Rectifier, IRS2308PBF
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 10…20 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.5 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.29 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.6 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 100 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 35 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | DIP-8 (0.300 inch) |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
MOSFET, amp; Драйверы затвора IGBT, полумост, Infineon ИС драйверов затвора от Infineon для управления силовыми устройствами…
IRS21956SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, HALF-BRIDGE [SOIC-20W]
![IRS21956SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, HALF-BRIDGE [SOIC-20W]](/file/p_img/1773725.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRS21956SPBF
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 10…20 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 3.5 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.5 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.5 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 25 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 15 |
| Рабочая температура, °C | -55…+150 (TJ) |
| Корпус | soic-20 (0.295 inch) |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
IRS2186SPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SOIC-8]
![IRS2186SPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SOIC-8]](/file/p_img/1773724.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRS2186SPBF
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 10…20 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.5 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 4 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 4 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 22 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 18 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
MOSFET, amp; Драйверы затвора IGBT, верхняя и нижняя стороны, Infineon ИС драйверов затвора от Infineon для управления силов…