MAX4420ESA+, Драйвер MOSFET, высокоскоростной, 6А, [NSOIC-8]
![MAX4420ESA+, Драйвер MOSFET, высокоскоростной, 6А, [NSOIC-8]](/file/p_img/1781150.jpg)
Производитель: Maxim Integrated Products, MAX4420ESA+
| Кол-во каналов | 1 |
| Напряжение питания, В | 4.5…18 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.4 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 6 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 6 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 25 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 25 |
| Рабочая температура, °C | -40…+ 85 (TA) |
| Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
| Тип управляемого затвора | N/P-CH MOSFET |
25 ° C, VIN = 3 В
MAX4420EPA+, Драйвер MOSFET, высокоскоростной, 6А, [PDIP-8]
![MAX4420EPA+, Драйвер MOSFET, высокоскоростной, 6А, [PDIP-8]](/file/p_img/1781149.jpg)
Производитель: Maxim Integrated Products, MAX4420EPA+
| Кол-во каналов | 1 |
| Напряжение питания, В | 4.5…18 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.4 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 6 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 6 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 25 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 25 |
| Рабочая температура, °C | -40…+ 85 (TA) |
| Корпус | DIP-8 (0.300 inch) |
| Тип управляемого затвора | N/P-CH MOSFET |
Корпус DIP8300, Максимальный выходной ток нарастания 6 А, Максимальный выходной ток спада 6 А
MAX4420CPA+, Высокоскоростной одноканальный драйвер, 6А, [DIP-8]
![MAX4420CPA+, Высокоскоростной одноканальный драйвер, 6А, [DIP-8]](/file/p_img/1781147.jpg)
Производитель: Maxim Integrated Products, MAX4420CPA+
| Кол-во каналов | 1 |
| Напряжение питания, В | 4.5…18 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.4 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 6 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 6 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 25 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 25 |
| Рабочая температура, °C | 0...+70 (TA) |
| Корпус | DIP-8 (0.300 inch) |
| Тип управляемого затвора | N/P-CH MOSFET |
Драйверы для управления затвором High-Speed, 6A MOSFET Driver (Noninverting)
LM5110-1M/NOPB, Микросхема
Производитель: Texas Instruments, LM5110-1M/NOPB
• Независимое управление двумя N-канальными MOSFET • Составные КМОП и биполярные выходы уменьшают колебания выходного тока • Доступны…
LM5106MM/NOPB, Двойной полумостовой драйвер, питание 8В-14В, 1.8А на выходе, задержка 32нс [VSSOP-10]
![LM5106MM/NOPB, Двойной полумостовой драйвер, питание 8В-14В, 1.8А на выходе, задержка 32нс [VSSOP-10]](/file/p_img/1778114.jpg)
Производитель: Texas Instruments, LM5106MM/NOPB
MOSFET, amp; Драйверы полумостовых затворов IGBT, Texas Instruments
![L6743DTR, Драйвер MOSFET [SOIC-8]](/file/p_img/1777060.jpg)
L6390D, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-16]
![L6390D, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-16]](/file/p_img/1777042.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, L6390D
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 12.5…20 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 1.1 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 1.9 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.29 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.43 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 75 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 35 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | SOIC-16 (0.154 inch) |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
Драйверы FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 290 мА; Iout-: 430 мА; Опции: Вход сброса, Защита по току, Флаг защит…
L6388ED013TR, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8]
![L6388ED013TR, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8]](/file/p_img/1777041.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, L6388ED013TR
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 17 (Max) |
| Логическое напряжение (VIL), В | 1.1 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 1.8 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.4 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.65 |
| Тип входа | инвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 70 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 40 |
| Рабочая температура, °C | -40…+125 (TJ) |
| Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
L6388ED, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8]
![L6388ED, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8]](/file/p_img/1777040.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, L6388ED
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 17 (Max) |
| Логическое напряжение (VIL), В | 1.1 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 1.8 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.4 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.65 |
| Тип входа | инвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 70 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 40 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 |