L6384ED, Полумостовой драйвер MOSFET/IGBT [SOIC-8]
![L6384ED, Полумостовой драйвер MOSFET/IGBT [SOIC-8]](/file/p_img/1777038.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, L6384ED
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 14.6…16.6 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 1.5 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 3.6 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.4 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.65 |
| Тип входа | инвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 50 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 30 |
| Рабочая температура, °C | -45…+125 (TJ) |
| Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; Опции: Вход сброса Корпус SO-8, Кол-во ниж…
IXRFD631, Драйвер RF MOSFET, Low-Side, пиковый выходной ток 30А
Производитель: Ixys Corporation, IXRFD631
IXRFD630, Драйвер RF MOSFET, Low-Side, пиковый выходной ток 30А
Производитель: Ixys Corporation, IXRFD630
IXRFD615X2, Драйвер RF MOSFET, Dual Low-Side, пиковый выходной ток 15А
Производитель: Ixys Corporation, IXRFD615X2
IXDN630YI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Low-Side, пиковый выходной ток 30А [TO-263-5]
![IXDN630YI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Low-Side, пиковый выходной ток 30А [TO-263-5]](/file/p_img/1774043.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXDN630YI
Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-263-5
IXDN609CI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Low-Side, пиковый выходной ток 9А [TO-220-5]
![IXDN609CI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Low-Side, пиковый выходной ток 9А [TO-220-5]](/file/p_img/1774042.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXDN609CI
Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-220-5
IXDN604PI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Dua Low-Side, выходной ток 4А [DIP-8]
![IXDN604PI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Dua Low-Side, выходной ток 4А [DIP-8]](/file/p_img/1774041.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXDN604PI
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 4.5…35 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 3 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 4 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 4 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 9 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 8 |
| Рабочая температура, °C | -40…+125 (TA) |
| Корпус | DIP-8 (0.300 inch) |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N/P-CH MOSFET |
IXDI614SI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Low-Side, пиковый выходной ток 14А [SOIC-8 EP]
![IXDI614SI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Low-Side, пиковый выходной ток 14А [SOIC-8 EP]](/file/p_img/1774040.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXDI614SI
IXDD630YI, Драйвер IGBT/MOSFET, Low-Side [TO-263-5]
![IXDD630YI, Драйвер IGBT/MOSFET, Low-Side [TO-263-5]](/file/p_img/1774038.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXDD630YI
Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-263-5