Микросхемы - Драйверы MOSFET и IGBT - купить, сравнить


Драйверы MOSFET и IGBT

IXDD630CI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Low-Side, пиковый выходной ток 30А [TO-220-5]
IXDD630CI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Low-Side, пиковый выходной ток 30А [TO-220-5]
Производитель: Ixys Corporation, IXDD630CI
Кол-во каналов 1
Напряжение питания, В 12.5…35
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 30
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 30
Тип входа неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 11
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 11
Рабочая температура, °C -55…+150 (TJ)
Корпус to-220-5
Тип управляемого затвора IGBT, N/P-CH MOSFET

IXDD614PI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Low-Side, пиковый выходной ток 14А [DIP-8]
IXDD614PI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Low-Side, пиковый выходной ток 14А [DIP-8]
Производитель: Ixys Corporation, IXDD614PI

Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-DIP

IXDD614CI, Ультрабыстрый MOSFET/IGBT драйвер, Low-Side, 14А, [TO-220-5]
Производитель: Ixys Corporation, IXDD614CI

Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-220-5

IX6611T, Умный драйвер IGBT/MOSFET [SOIC-16]
IX6611T, Умный драйвер IGBT/MOSFET [SOIC-16]
Производитель: Ixys Corporation, IX6611T

Защита от перенапряжения и пониженного напряжения PMIC 16-SOIC-EP

IX6610T, Умный драйвер IGBT [TSSOP-28 EP]
IX6610T, Умный драйвер IGBT [TSSOP-28 EP]
Производитель: Ixys Corporation, IX6610T

Transformer Driver PMIC 28-TSSOP

IX4428N, MOSFET-драйвер [SOIC-8]
IX4428N, MOSFET-драйвер [SOIC-8]
Производитель: Ixys Corporation, IX4428N

ИС драйвера затвора нижнего плеча, инвертирующий, неинвертирующий 8-SOIC

IX4427N, Высокоскоростной драйвер MOSFET, пиковый выходной ток 1.5А [SOIC-8]
IX4427N, Высокоскоростной драйвер MOSFET, пиковый выходной ток 1.5А [SOIC-8]
Производитель: Ixys Corporation, IX4427N
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 4.5…30
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 1.5
Тип входа неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 10
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 8
Рабочая температура, °C -55…+150 (TJ)
Корпус soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора N/P-CH MOSFET