Микросхемы - Драйверы MOSFET и IGBT - купить, сравнить

Кол-во каналов	2
Напряжение питания, В	10…20
Логическое напряжение (VIL), В	0.8
Логическое напряжение (VIH), В	2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А	4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А	4
Тип входа	неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс	22
Номинальное время затухания (Fall Time), нс	18
Рабочая температура, °C	-40…+150 (TJ)
Корпус	soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора	IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В	600

Контроллеры двигателей, усилитель; Драйверы, Infineon

Сравнить

Корпус

SOIC14

MOSFET, amp; Драйверы затвора IGBT, верхняя и нижняя стороны, Infineon ИС драйверов затвора от Infineon для управления силов…

Сравнить

Драйверы для управления затвором Hlf Brdg Drvr Soft Trn On Sngl 400ns

Сравнить

Кол-во каналов	2
Напряжение питания, В	10…20
Логическое напряжение (VIL), В	0.8
Логическое напряжение (VIH), В	2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А	1.9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А	2.3
Тип входа	неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс	40
Номинальное время затухания (Fall Time), нс	20
Рабочая температура, °C	-40…+150 (TJ)
Корпус	soic-14 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора	IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В	600

HALF BRIDGE DRIVER, SMD, SOIC14 Driver IC Type MOSFET Outputs, No. of 2 Voltage, Output 620V Output Current 1.9A Voltage, Supply Min 10V Voltage, Su…

Сравнить

Кол-во каналов	2
Напряжение питания, В	10…20
Логическое напряжение (VIL), В	0.8
Логическое напряжение (VIH), В	2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А	1.9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А	2.3
Тип входа	неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс	40
Номинальное время затухания (Fall Time), нс	20
Рабочая температура, °C	-40…+150 (TJ)
Корпус	soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора	IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В	600

Сравнить

Кол-во каналов	2
Напряжение питания, В	10…15.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А	0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А	0.26
Тип входа	RC входная схема
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс	120
Номинальное время затухания (Fall Time), нс	50
Рабочая температура, °C	-40…+125 (TJ)
Корпус	soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора	N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В	600

ИС драйверов автоколебательного затвора, Infineon

Сравнить

Кол-во каналов	2
Напряжение питания, В	10…15.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А	0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А	0.26
Тип входа	RC входная схема
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс	120
Номинальное время затухания (Fall Time), нс	50
Рабочая температура, °C	-40…+125 (TJ)
Корпус	DIP-8 (0.300 inch)
Тип управляемого затвора	N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В	600

HALF BRIDGE DRIVER SELF-OSC, DIP8 Driver IC Type MOSFET Outputs, No. of 2 Voltage, Output 625.3V Output Current 180mA Voltage, Supply Min 10.1V Volt…

Сравнить

Кол-во каналов	2
Напряжение питания, В	10…15.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А	0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А	0.26
Тип входа	RC входная схема
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс	120
Номинальное время затухания (Fall Time), нс	50
Рабочая температура, °C	-40…+125 (TJ)
Корпус	soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора	N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В	600

ШИМ (широтно-импульсная модуляция) - микросхемы FF (фиксированная частота), Infineon

Сравнить

Сравнить

Кол-во каналов	2
Напряжение питания, В	10…20
Логическое напряжение (VIL), В	6
Логическое напряжение (VIH), В	9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А	2.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А	2.5
Тип входа	неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс	25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс	17
Рабочая температура, °C	-40…+150 (TJ)
Корпус	soic-16 (0.295 inch)
Тип управляемого затвора	IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В	600

Сравнить