ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXGH32N170, Транзистор, IGBT, 1700В, 75А, 250нс [TO-247AD] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXGH32N170, Транзистор, IGBT, 1700В, 75А, 250нс [TO-247AD]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXGH32N170, Транзистор, IGBT, 1700В, 75А, 250нс [TO-247AD]
Последняя цена
2040 руб.
Сравнить
Описание
IGBT NPT 1700V 75A 350W сквозное отверстие TO-247AD (IXGH)
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXGH32N170
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1774070
Технические параметры
Вес, г
6
Максимальное напряжение КЭ ,В
1700
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
3.3
Корпус
TO-247AD
Технология/семейство
npt
Наличие встроенного диода
нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
75
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
350
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
270
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
45
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
IXGH32N170 - IXGT32N170 , pdf
, 572 КБ
Datasheet , pdf
, 624 КБ
Datasheet , pdf
, 578 КБ