Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить


Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

IRGP4068DPBF, IGBT 600В 48А [TO-247AC]
IRGP4068DPBF, IGBT 600В 48А [TO-247AC]
Производитель: Infineon Technologies, IRGP4068DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.14
Корпус to-247ac
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 96
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 145
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 144

Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…

IRGP4066PBF, IGBT 600В 140А 8-30кГЦ TO247AC
IRGP4066PBF, IGBT 600В 140А 8-30кГЦ TO247AC
Производитель: International Rectifier, IRGP4066PBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.1
Корпус to-247ac
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 140
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 454
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 200
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 225
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 50

IRGP4066DPBF, IGBT 600В 140А 8-30кГц TO247AC
IRGP4066DPBF, IGBT 600В 140А 8-30кГц TO247AC
Производитель: International Rectifier, IRGP4066DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.1
Корпус to-247ac
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 140
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 454
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 200
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 225
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 50

Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…

IRGP4066D-EPBF, Транзистор IGBT 600В 140А 454Вт [TO-247AD]
IRGP4066D-EPBF, Транзистор IGBT 600В 140А 454Вт [TO-247AD]
Производитель: Infineon Technologies, IRGP4066D-EPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.1
Корпус TO-247AD
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 140
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 454
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 200
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 225
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 50

Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…

IRGP4063DPBF, IGBT 600В 96А [TO-247AC]
IRGP4063DPBF, IGBT 600В 96А [TO-247AC]
Производитель: Infineon Technologies, IRGP4063DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.14
Корпус to-247ac
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 96
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 145
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 144
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 60

Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…

IRGP4063PBF, IGBT 600В 96А 8-30кГЦ [TO-247AC]
IRGP4063PBF, IGBT 600В 96А 8-30кГЦ [TO-247AC]
Производитель: Infineon Technologies, IRGP4063PBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.14
Корпус to-247ac
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 96
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 145
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 144
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 60

Один IGBT более 21 А, Infineon Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и об…

IRGP4063-EPBF, IGBT 600В 96А, [TO-247AD]
IRGP4063-EPBF, IGBT 600В 96А, [TO-247AD]
Производитель: Infineon Technologies, IRGP4063-EPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.14
Корпус TO-247AD
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 96
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 145
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 144
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 60

IRGP4062DPBF, IGBT 600В 48А 8-30кГц [TO-247AC]
IRGP4062DPBF, IGBT 600В 48А 8-30кГц [TO-247AC]
Производитель: Infineon Technologies, IRGP4062DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95
Корпус to-247ac
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 48
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 104
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 72
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 41

Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…

IRGP35B60PDPBF, IGBT 600В 40А 150кГц
IRGP35B60PDPBF, IGBT 600В 40А 150кГц
Производитель: International Rectifier, IRGP35B60PDPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.25
Корпус to-247ac
Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 308
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 110
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 26

Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…

IRGP30B120KD-EP, Транзистор IGBT 1200В 30А 5-40кГц [TO-247AD]
IRGP30B120KD-EP, Транзистор IGBT 1200В 30А 5-40кГц [TO-247AD]
Производитель: Infineon Technologies, IRGP30B120KD-EP
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 4
Корпус to247ad
Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 300
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 210
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 50

Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…