ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FGH40N60UFTU, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.8 В, 290 Вт, 600 В, TO-247AB, 3 вывод(-ов) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FGH40N60UFTU, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.8 В, 290 Вт, 600 В, TO-247AB, 3…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FGH40N60UFTU, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.8 В, 290 Вт, 600 В, TO-247AB, 3 вывод(-ов)
Последняя цена
251 руб.
Сравнить
Описание
40А Низкое напряжение насыщения
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FGH40N60UFTU
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1817309
Технические параметры
Максимальная рабочая температура
150 C
Вес, г
5.42
DC Ток Коллектора
80А
Напряжение Коллектор-Эмиттер
600в
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.8В
Рассеиваемая Мощность
290Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247AB
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Техническая документация
Datasheet FGH40N60UFTU , pdf
, 441 КБ
Datasheet FGH40N60UFTU , pdf
, 631 КБ