IGB20N60H3, БТИЗ транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 240 руб.

Сравнить

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IGB20N60H3

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1815047

Технические параметры

Минимальная рабочая температура

40 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

+/- 20 V

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Конфигурация

Single

Вес, г

Pd - рассеивание мощности

170 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.95 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

40 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Reel, Cut Tape

Упаковка / блок

TO-263-3

Другие названия товара №

IGB20N60H3ATMA1 IGB2N6H3XT SP000852232

Серия

HighSpeed 3

Технология

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

Техническая документация

Datasheet IGB20N60H3 , pdf , 1584 КБ

IGB20N60H3, БТИЗ транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 240 руб.

Техническая документация