ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FS50R12W2T4BOMA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
FS50R12W2T4BOMA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FS50R12W2T4BOMA1
Последняя цена
9900 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Modules
Модуль IGBT Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 83A 335W Модуль для монтажа на шасси
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2412117
Технические параметры
Base Product Number
FS50R12 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Chassis Mount
Operating Temperature
-40В°C ~ 125В°C
Package
Tray
Package / Case
Module
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
Module
Current - Collector (Ic) (Max)
83A
Power - Max
335W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
IGBT Type
Trench Field Stop
Configuration
Full Bridge Inverter
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
2.8nF @ 25V
NTC Thermistor
Yes
Техническая документация
Datasheet FS50R12W2T4BOMA1 , pdf
, 1005 КБ
